MUN2130T1G
MUN2130T1G
Modello di prodotti:
MUN2130T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12164 Pieces
Scheda dati:
MUN2130T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SC-59
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):1k
Resistenza - Base (R1) (ohm):1k
Potenza - Max:230mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:MUN2130T1G
Frequenza - transizione:-
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
Descrizione:TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:3 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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