MUR10010CT
Modello di prodotti:
MUR10010CT
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13874 Pieces
Scheda dati:
1.MUR10010CT.pdf2.MUR10010CT.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.3V @ 50A
Tensione - inversa (Vr) (max):100V
Contenitore dispositivo fornitore:Twin Tower
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):75ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Twin Tower
Altri nomi:MUR10010CTGN
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:MUR10010CT
Descrizione espansione:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 100A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Tipo diodo:Standard
Configurazione diodo:1 Pair Common Cathode
Descrizione:DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
Corrente - Dispersione inversa a Vr:25µA @ 50V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):100A (DC)
Email:[email protected]

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