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MURTA20060
- Modello di prodotti:
- MURTA20060
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14362 Pieces
- Scheda dati:
- MURTA20060.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.7V @ 100A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 600V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Three Tower |
| Velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Three Tower |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | MURTA20060 |
| Descrizione espansione: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Tipo diodo: | Standard |
| Configurazione diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 25µA @ 600V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 100A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MURTA20060
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MURTA20060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER | Inchiesta |
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MURTA200120R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER | Inchiesta |
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MURTA200120 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER | Inchiesta |
|
MURTA20020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER | Inchiesta |
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MURTA20020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER | Inchiesta |
|
MURTA20040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER | Inchiesta |
|
MURTA20040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER | Inchiesta |
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