MURTA500120
MURTA500120
Modello di prodotti:
MURTA500120
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19242 Pieces
Scheda dati:
MURTA500120.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:2.6V @ 250A
Tensione - inversa (Vr) (max):1200V (1.2kV)
Contenitore dispositivo fornitore:Three Tower
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Three Tower
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:MURTA500120
Descrizione espansione:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V (1.2kV) 250A Chassis Mount Three Tower
Tipo diodo:Standard
Configurazione diodo:1 Pair Common Cathode
Descrizione:DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
Corrente - Dispersione inversa a Vr:25µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):250A
Email:[email protected]

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