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MW6S010GNR1
- Modello di prodotti:
- MW6S010GNR1
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16638 Pieces
- Scheda dati:
- MW6S010GNR1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per MW6S010GNR1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MW6S010GNR1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 68V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-270-2 GULL |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 10W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-270-2 Gull Wing |
| Altri nomi: | MW6S010GNR1DKR |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | MW6S010GNR1 |
| Guadagno: | 18dB |
| Frequenza: | 960MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 GULL |
| Descrizione: | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 125mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MW6S010GNR1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MW6S010MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 | Inchiesta |
|
MW6S010GMR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | Inchiesta |
 |
MW6S010NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2 | Inchiesta |
 |
BLF184XRGQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C | Inchiesta |
 |
MRF6V13250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780 | Inchiesta |
 |
ATF-331M4-TR1 | Broadcom Limited | IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK | Inchiesta |
|
AFT26P100-4WGSR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF 2.6GHZ 100W NI780S-6 | Inchiesta |
 |
PTVA120501EAV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
|
MRF7S18170HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S | Inchiesta |
 |
MRF6S18140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.88GHZ NI880 | Inchiesta |
 |
MW6S004NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 | Inchiesta |
 |
J310ZL1G | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA TO92 | Inchiesta |
 |
MRF9045LR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360 | Inchiesta |
|
MRF7S21080HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | Inchiesta |
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