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N2M400FDB311A3CE
- Modello di prodotti:
- N2M400FDB311A3CE
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 32GBIT 100LBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12507 Pieces
- Scheda dati:
- N2M400FDB311A3CE.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 100-LBGA (14x18) |
| Velocità: | - |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 100-LBGA |
| Altri nomi: | 557-1618 N2M400FDB311A3CE-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 32Gb (4G x 8) |
| Formato di memoria: | FLASH |
| codice articolo del costruttore: | N2M400FDB311A3CE |
| Interfaccia: | MMC, SPI |
| Descrizione: | IC FLASH 32GBIT 100LBGA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per N2M400FDB311A3CE
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
N2M400GDB321A3CF TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64GBIT 52MHZ 100LBGA | Inchiesta |
|
N2M400FDB311A3CF TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 32GBIT 100LBGA | Inchiesta |
 |
IS42SM16160K-75BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54BGA | Inchiesta |
 |
IDT71V25761S166PF8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | IC SRAM 4.5MBIT 166MHZ 100TQFP | Inchiesta |
|
N2M400GDB321A3CE | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64GBIT 100LBGA | Inchiesta |
 |
25AA080AT-I/ST | Microchip Technology | IC EEPROM 8KBIT 10MHZ 8TSSOP | Inchiesta |
|
IS42SM32100D-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 54BGA | Inchiesta |
|
N2M400HDB321A3CE | Micron Technology Inc. | IC FLASH 128GBIT 100LBGA | Inchiesta |
|
N2M400HDB321A3CF | Micron Technology Inc. | IC FLASH 128GBIT 100LBGA | Inchiesta |
|
N2M400JDB341A3CF | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256GBIT 100LBGA | Inchiesta |
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