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NAND256R3A2BZA6E
- Modello di prodotti:
- NAND256R3A2BZA6E
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19928 Pieces
- Scheda dati:
- NAND256R3A2BZA6E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.95 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 55-VFBGA (8x10) |
| Velocità: | - |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 55-TFBGA |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 256Mb (32M x 8) |
| Formato di memoria: | FLASH |
| codice articolo del costruttore: | NAND256R3A2BZA6E |
| Interfaccia: | Parallel |
| Descrizione: | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NAND256R3A2BZA6E
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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NAND256W3A2BE06 | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS WAFER | Inchiesta |
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NAND256W3A2BZA6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | Inchiesta |
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NAND256W3A2BZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | Inchiesta |
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NAND256W3A0BN6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | Inchiesta |
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NAND256W3A0BE06 | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS WAFER | Inchiesta |
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NAND256W3A0BZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | Inchiesta |
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NAND256W3A2BNXE | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | Inchiesta |
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NAND256W3A2BZAXE | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | Inchiesta |
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NAND256W3A2BN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | Inchiesta |
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NAND256W3A0BN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | Inchiesta |
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NAND256W3A2BN6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | Inchiesta |
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