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NAND512R3A2SN6F
- Modello di prodotti:
- NAND512R3A2SN6F
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 512MBIT 48TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14081 Pieces
- Scheda dati:
- NAND512R3A2SN6F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.95 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 48-TSOP |
| Velocità: | - |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 512Mb (64M x 8) |
| Formato di memoria: | FLASH |
| codice articolo del costruttore: | NAND512R3A2SN6F |
| Interfaccia: | Parallel |
| Descrizione: | IC FLASH 512MBIT 48TSOP |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NAND512R3A2SN6F
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NAND512R3A2DZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
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NAND512R3A2SZA6F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 50NS 63VFBGA | Inchiesta |
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NAND512W3A2SN6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 48TSOP | Inchiesta |
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NAND512R3A2CZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
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NAND512W3A2SZA6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
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NAND512R3A2SZAXE | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
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NAND512R3A2SN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 48TSOP | Inchiesta |
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NAND512R3A2SZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
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NAND512W3A2CZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
|
NAND512R3A2SE06 | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT | Inchiesta |
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