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NAND512W3A2SE06
- Modello di prodotti:
- NAND512W3A2SE06
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 512MBIT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18676 Pieces
- Scheda dati:
- NAND512W3A2SE06.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Velocità: | - |
| Serie: | - |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 512Mb (64M x 8) |
| Formato di memoria: | FLASH |
| codice articolo del costruttore: | NAND512W3A2SE06 |
| Interfaccia: | Parallel |
| Descrizione: | IC FLASH 512MBIT |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NAND512W3A2SE06
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NAND512W3A2SN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 48TSOP | Inchiesta |
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NAND512W3A2DN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 48TSOP | Inchiesta |
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NAND512W3A2CZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
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NAND512W3A2CN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 48TSOP | Inchiesta |
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NAND512W3A2SZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
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NAND512W3A2DZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
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NAND512W3A2SNXE | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 48TSOP | Inchiesta |
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NAND512W3A2SN6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 48TSOP | Inchiesta |
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NAND512W3A2SZAXE | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
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NAND512W3A2SZA6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512MBIT 63VFBGA | Inchiesta |
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