NDB6060L
NDB6060L
Modello di prodotti:
NDB6060L
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14073 Pieces
Scheda dati:
NDB6060L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:NDB6060LDKR
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:9 Weeks
codice articolo del costruttore:NDB6060L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 48A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

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