NDD02N40-1G
NDD02N40-1G
Modello di prodotti:
NDD02N40-1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17333 Pieces
Scheda dati:
NDD02N40-1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I-Pak
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5.5 Ohm @ 220mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):39W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:NDD02N40-1G-ND
NDD02N40-1GOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:NDD02N40-1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:121pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 400V 1.7A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):400V
Descrizione:MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

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