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NDD04N60Z-1G
- Modello di prodotti:
- NDD04N60Z-1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17836 Pieces
- Scheda dati:
- NDD04N60Z-1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NDD04N60Z-1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NDD04N60Z-1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 83W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | NDD04N60Z-1G-ND NDD04N60Z-1GOS NDD04N60Z1G |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 19 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NDD04N60Z-1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 640pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 4.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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