NDF04N60ZG
NDF04N60ZG
Modello di prodotti:
NDF04N60ZG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18064 Pieces
Scheda dati:
NDF04N60ZG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220FP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:NDF04N60ZG-ND
NDF04N60ZGOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:29 Weeks
codice articolo del costruttore:NDF04N60ZG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 4.8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.8A (Tc)
Email:[email protected]

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