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NDPL100N10BG
- Modello di prodotti:
- NDPL100N10BG
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17347 Pieces
- Scheda dati:
- NDPL100N10BG.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NDPL100N10BG, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NDPL100N10BG via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7.2 mOhm @ 50A, 15V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 110W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NDPL100N10BG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2950pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 100A (Ta) 2.1W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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