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NE4210S01-T1B
- Modello di prodotti:
- NE4210S01-T1B
- fabbricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrizione:
- HJ-FET 13DB S01
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12993 Pieces
- Scheda dati:
- NE4210S01-T1B.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 2V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 4V |
| Tipo transistor: | HFET |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SMD |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | - |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | 4-SMD |
| Figura di rumore: | 0.5dB |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NE4210S01-T1B |
| Guadagno: | 13dB |
| Frequenza: | 12GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD |
| Descrizione: | HJ-FET 13DB S01 |
| Valutazione attuale: | 15mA |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NE4210S01-T1B
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PD57018TR-E | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | Inchiesta |
 |
PTFA181001GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 | Inchiesta |
 |
MAGX-0110087 | M/A-Com Technology Solutions | HEMT N-CH 600W 1030-1090MHZ | Inchiesta |
 |
MRF9080LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ NI-780 | Inchiesta |
 |
NE4210S01 | CEL | HJ-FET 13DB S01 | Inchiesta |
 |
BLA8G1011L-300GU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | Inchiesta |
 |
BLM7G1822S-20PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121 | Inchiesta |
 |
BLF7G10LS-250,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B | Inchiesta |
 |
MRF5S4125NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ TO-270-4 | Inchiesta |
|
BLF6G20LS-180RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | Inchiesta |
 |
BLF642,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | Inchiesta |
 |
BF256A | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 7MA TO92 | Inchiesta |
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