NJVMJD122T4G-VF01
NJVMJD122T4G-VF01
Modello di prodotti:
NJVMJD122T4G-VF01
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13396 Pieces
Scheda dati:
NJVMJD122T4G-VF01.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:4V @ 8A, 80mA
Tipo transistor:NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK-3
Serie:-
Potenza - Max:1.75W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:NJVMJD122T4G
NJVMJD122T4G-ND
NJVMJD122T4G-VF01OSTR
NJVMJD122T4GOSTR
NJVMJD122T4GOSTR-ND
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:NJVMJD122T4G-VF01
Frequenza - transizione:-
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount DPAK-3
Descrizione:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 4A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max):10µA
Corrente - collettore (Ic) (max):8A
Email:[email protected]

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