NP110N04PUK-E1-AY
Modello di prodotti:
NP110N04PUK-E1-AY
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17038 Pieces
Scheda dati:
NP110N04PUK-E1-AY.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 mOhm @ 55A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta), 348W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:NP110N04PUK-E1-AY
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:15750pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:297nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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