NP32N055SLE-E1-AY
Modello di prodotti:
NP32N055SLE-E1-AY
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16507 Pieces
Scheda dati:
NP32N055SLE-E1-AY.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252 (MP-3ZK)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:24 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.2W (Ta), 66W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:NP32N055SLE-E1-AY
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 32A (Tc) 1.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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