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NSVBAS16TT1G
- Modello di prodotti:
- NSVBAS16TT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13455 Pieces
- Scheda dati:
- NSVBAS16TT1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NSVBAS16TT1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NSVBAS16TT1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.25V @ 150mA |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 100V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-75, SOT-416 |
| Velocità: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 6ns |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-75, SOT-416 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NSVBAS16TT1G |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SC-75, SOT-416 |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1µA @ 100V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 200mA (DC) |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NSVBAS16TT1G
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