NSVMMUN2232LT1G
NSVMMUN2232LT1G
Modello di prodotti:
NSVMMUN2232LT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16409 Pieces
Scheda dati:
NSVMMUN2232LT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):4.7k
Resistenza - Base (R1) (ohm):4.7k
Potenza - Max:246mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:NSVMMUN2232LT1G
Frequenza - transizione:-
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descrizione:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:15 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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