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NTB30N06LT4
- Modello di prodotti:
- NTB30N06LT4
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14568 Pieces
- Scheda dati:
- NTB30N06LT4.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 46 mOhm @ 15A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 88.2W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | NTB30N06LT4OS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTB30N06LT4 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1150pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 30A (Ta) 88.2W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTB30N06LT4
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NTB30N06G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK | Inchiesta |
|
NTB30N06LT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | Inchiesta |
|
NTB30N06T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK | Inchiesta |
|
NTB30N06T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK | Inchiesta |
|
NTB30N06L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | Inchiesta |
|
NTB30N06LG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | Inchiesta |
|
NTB30N20G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK | Inchiesta |
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NTB30N20T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK | Inchiesta |
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