NTB5605PT4G
NTB5605PT4G
Modello di prodotti:
NTB5605PT4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14014 Pieces
Scheda dati:
NTB5605PT4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:140 mOhm @ 8.5A, 5V
Dissipazione di potenza (max):88W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:NTB5605PT4G-ND
NTB5605PT4GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:28 Weeks
codice articolo del costruttore:NTB5605PT4G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1190pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 60V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18.5A (Ta)
Email:[email protected]

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