NTD3055L170G
NTD3055L170G
Modello di prodotti:
NTD3055L170G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17273 Pieces
Scheda dati:
NTD3055L170G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:170 mOhm @ 4.5A, 5V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTD3055L170G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:275pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Surface Mount DPAK
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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