NTD32N06G
NTD32N06G
Modello di prodotti:
NTD32N06G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13972 Pieces
Scheda dati:
NTD32N06G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:26 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTD32N06G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1725pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) Surface Mount DPAK
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Ta)
Email:[email protected]

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