Acquistare NTD4858N-1G con BYCHPS
Acquista con garanzia
Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak |
Serie: | - |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.2 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | NTD4858N-1G |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1563pF @ 12V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.2nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 25V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Through Hole I-Pak |
Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.2A (Ta), 73A (Tc) |
Email: | [email protected] |