NTD5862NT4G
NTD5862NT4G
Modello di prodotti:
NTD5862NT4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18997 Pieces
Scheda dati:
NTD5862NT4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5.7 mOhm @ 45A, 10V
Dissipazione di potenza (max):115W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:NTD5862NT4G-ND
NTD5862NT4GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:NTD5862NT4G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:82nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 98A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:98A (Tc)
Email:[email protected]

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