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NTDV18N06LT4G
- Modello di prodotti:
- NTDV18N06LT4G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19349 Pieces
- Scheda dati:
- NTDV18N06LT4G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 65 mOhm @ 9A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTDV18N06LT4G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 675pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Surface Mount DPAK-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTDV18N06LT4G
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