NTF3055L175T1G
NTF3055L175T1G
Modello di prodotti:
NTF3055L175T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17457 Pieces
Scheda dati:
NTF3055L175T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223 (TO-261)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:175 mOhm @ 1A, 5V
Dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:NTF3055L175T1GOS
NTF3055L175T1GOS-ND
NTF3055L175T1GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTF3055L175T1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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