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NTGD3133PT1G
- Modello di prodotti:
- NTGD3133PT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15800 Pieces
- Scheda dati:
- NTGD3133PT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 560mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTGD3133PT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.6A 560mW Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTGD3133PT1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NTGD3149CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | Inchiesta |
 |
BSG0813NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON | Inchiesta |
 |
IRF9956 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | Inchiesta |
|
NTGD3148NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP | Inchiesta |
|
NTGD3147FT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP | Inchiesta |
|
FW282-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOP | Inchiesta |
 |
AO6804A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6TSOP | Inchiesta |
 |
SP8M10FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC | Inchiesta |
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