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NTJD3158CT2G
- Modello di prodotti:
- NTJD3158CT2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V SC88-6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19629 Pieces
- Scheda dati:
- NTJD3158CT2G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 375 mOhm @ 630mA, 4.5V |
| Potenza - Max: | 270mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTJD3158CT2G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 46pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 630mA, 820mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V SC88-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 630mA, 820mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTJD3158CT2G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | Inchiesta |
 |
AON2802 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN | Inchiesta |
 |
SI4226DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
IRF7509TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 | Inchiesta |
 |
APTC60DSKM70CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Inchiesta |
 |
CSD87333Q3D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON | Inchiesta |
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | Inchiesta |
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