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NTJD5121NT1G
- Modello di prodotti:
- NTJD5121NT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17937 Pieces
- Scheda dati:
- NTJD5121NT1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTJD5121NT1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTJD5121NT1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Potenza - Max: | 250mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | NTJD5121NT1G-ND NTJD5121NT1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 19 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTJD5121NT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 26pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.9nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 295mA |
| Email: | [email protected] |
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