NTLJD3181PZTAG
NTLJD3181PZTAG
Modello di prodotti:
NTLJD3181PZTAG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17651 Pieces
Scheda dati:
NTLJD3181PZTAG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-WDFN (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 2A, 4.5V
Potenza - Max:710mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTLJD3181PZTAG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.8nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.2A
Email:[email protected]

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