NTLJS3A18PZTXG
NTLJS3A18PZTXG
Modello di prodotti:
NTLJS3A18PZTXG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15543 Pieces
Scheda dati:
NTLJS3A18PZTXG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-WDFN (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:18 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):700mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTLJS3A18PZTXG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2240pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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