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NTMFD4C86NT1G
- Modello di prodotti:
- NTMFD4C86NT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12974 Pieces
- Scheda dati:
- NTMFD4C86NT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-DFN (5x6) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | NTMFD4C86NT1G-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTMFD4C86NT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1153pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.3A, 18.1A |
| Email: | [email protected] |
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