NTMFS4847NAT3G
NTMFS4847NAT3G
Modello di prodotti:
NTMFS4847NAT3G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17035 Pieces
Scheda dati:
NTMFS4847NAT3G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.1 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):880mW (Ta), 48.4W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN, 5 Leads
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:29 Weeks
codice articolo del costruttore:NTMFS4847NAT3G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2614pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 11.5A (Ta), 85A (Tc) 880mW (Ta), 48.4W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11.5A (Ta), 85A (Tc)
Email:[email protected]

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