NTMKE4891NT1G
Modello di prodotti:
NTMKE4891NT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17391 Pieces
Scheda dati:
NTMKE4891NT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2.6 mOhm @ 29A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:5-ICEPAK
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTMKE4891NT1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4360pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 26.7A (Ta), 151A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:26.7A (Ta), 151A (Tc)
Email:[email protected]

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