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NTMSD3P303R2G
- Modello di prodotti:
- NTMSD3P303R2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14675 Pieces
- Scheda dati:
- NTMSD3P303R2G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | FETKY™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 730mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMSD3P303R2GOS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | NTMSD3P303R2G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 24V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.34A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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