NTP65N02R
NTP65N02R
Modello di prodotti:
NTP65N02R
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
19077 Pieces
Scheda dati:
NTP65N02R.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:NTP65N02ROS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTP65N02R
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1330pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 7.6A (Ta), 58A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.6A (Ta), 58A (Tc)
Email:[email protected]

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