NTP8G206NG
NTP8G206NG
Modello di prodotti:
NTP8G206NG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13256 Pieces
Scheda dati:
NTP8G206NG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.6V @ 500µA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:180 mOhm @ 11A, 8V
Dissipazione di potenza (max):96W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:NTP8G206NGOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:NTP8G206NG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 480V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):8V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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