NTR1P02T3
NTR1P02T3
Modello di prodotti:
NTR1P02T3
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
12981 Pieces
Scheda dati:
NTR1P02T3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:180 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):400mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTR1P02T3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:165pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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