NVMFD5483NLWFT3G
NVMFD5483NLWFT3G
Modello di prodotti:
NVMFD5483NLWFT3G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18733 Pieces
Scheda dati:
NVMFD5483NLWFT3G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:36 mOhm @ 15A, 10V
Potenza - Max:3.1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
codice articolo del costruttore:NVMFD5483NLWFT3G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:668pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23.4nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.4A
Email:[email protected]

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