NVMFS4C05NT3G
NVMFS4C05NT3G
Modello di prodotti:
NVMFS4C05NT3G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12025 Pieces
Scheda dati:
NVMFS4C05NT3G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.61W (Ta), 79W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:29 Weeks
codice articolo del costruttore:NVMFS4C05NT3G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1972pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 24.7A (Ta), 116A (Tc) 3.61W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24.7A (Ta), 116A (Tc)
Email:[email protected]

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