NVTR01P02LT1G
NVTR01P02LT1G
Modello di prodotti:
NVTR01P02LT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12149 Pieces
Scheda dati:
NVTR01P02LT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.25V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):400mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:NVTR01P02LT1G-ND
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:25 Weeks
codice articolo del costruttore:NVTR01P02LT1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:225pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.1nC @ 4V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.3A (Ta)
Email:[email protected]

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