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ON5258,215
- Modello di prodotti:
- ON5258,215
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET RF SOT23 TO-236AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13001 Pieces
- Scheda dati:
- ON5258,215.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | - |
|---|---|
| Tensione - nominale: | - |
| Tipo transistor: | - |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-236AB (SOT23) |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | 934058041215 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | ON5258,215 |
| Guadagno: | - |
| Frequenza: | - |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet TO-236AB (SOT23) |
| Descrizione: | MOSFET RF SOT23 TO-236AB |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per ON5258,215
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
ATF-54143-BLKG | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | Inchiesta |
 |
MRFG35010ANR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF | Inchiesta |
 |
2731GN-200M | Microsemi Corporation | FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP | Inchiesta |
 |
BLF6G22LS-130,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | Inchiesta |
 |
MRF6P23190HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 | Inchiesta |
 |
PTFA142401FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-34288-2 | Inchiesta |
 |
MRF5S4140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780 | Inchiesta |
 |
PTFA181001E V4 T500 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | Inchiesta |
 |
AFT26H160-4S4R3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI880X-4 | Inchiesta |
 |
PXAC201202FCV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
 |
3SK293(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF 12.5V 800MHZ USQ | Inchiesta |
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