PBLS2002D,115
PBLS2002D,115
Modello di prodotti:
PBLS2002D,115
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18323 Pieces
Scheda dati:
PBLS2002D,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V, 20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Contenitore dispositivo fornitore:6-TSOP
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):4.7k
Resistenza - Base (R1) (ohm):4.7k
Potenza - Max:600mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-74, SOT-457
Altri nomi:1727-5691-2
568-7228-2
568-7228-2-ND
934059271115
PBLS2002D T/R
PBLS2002D T/R-ND
PBLS2002D,115-ND
PBLS2002D115
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
codice articolo del costruttore:PBLS2002D,115
Frequenza - transizione:185MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 1A 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP
Descrizione:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA, 100nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA, 1A
Email:[email protected]

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