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PHB110NQ06LT,118
- Modello di prodotti:
- PHB110NQ06LT,118
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15709 Pieces
- Scheda dati:
- PHB110NQ06LT,118.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 200W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | 568-2183-2 934058553118 PHB110NQ06LT /T3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PHB110NQ06LT,118 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3960pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 55V 75A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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