PHB73N06T,118
PHB73N06T,118
Modello di prodotti:
PHB73N06T,118
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15101 Pieces
Scheda dati:
PHB73N06T,118.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:14 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):166W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:934056645118
PHB73N06T /T3
PHB73N06T /T3-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PHB73N06T,118
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2464pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 73A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:73A (Tc)
Email:[email protected]

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