PHK28NQ03LT,518
Modello di prodotti:
PHK28NQ03LT,518
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16090 Pieces
Scheda dati:
PHK28NQ03LT,518.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.5 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max):6.25W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:934057264518
PHK28NQ03LT /T3
PHK28NQ03LT /T3-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):2 (1 Year)
codice articolo del costruttore:PHK28NQ03LT,518
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:30.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 23.7A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:23.7A (Tc)
Email:[email protected]

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