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PHK4NQ20T,518
- Modello di prodotti:
- PHK4NQ20T,518
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14087 Pieces
- Scheda dati:
- PHK4NQ20T,518.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 130 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 6.25W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | 934057303518 PHK4NQ20T /T3 PHK4NQ20T /T3-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 2 (1 Year) |
| codice articolo del costruttore: | PHK4NQ20T,518 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1230pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 4A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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