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PHKD3NQ10T,518
- Modello di prodotti:
- PHKD3NQ10T,518
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15237 Pieces
- Scheda dati:
- PHKD3NQ10T,518.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 90 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | 934055906518 |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 2 (1 Year) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | PHKD3NQ10T,518 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 633pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A |
| Email: | [email protected] |
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